Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL31B106KBHNNNE
-F.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL31B106KBHNNNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL31B106KBHNNNE 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 66.51175
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL31B106KBHNNNE 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL31B106KBHNNNE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL31B106KBHNNNE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL31B106KBHNNNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL31B106KBHNNNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31B106KBHNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6767-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31B106KBHNNNE | |
| 관련 링크 | CL31B106K, CL31B106KBHNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL31B106KBHNNNE 의 관련 제품
 | BK/AGC-B-2 | FUSE GLASS 2A 250VAC 3AB 3AG | BK/AGC-B-2.pdf | |
 | AM-24.000MAGE-T | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM-24.000MAGE-T.pdf | |
| CMD5D11NP-150MC | 15µH Unshielded Inductor 580mA 438 mOhm Max Nonstandard | CMD5D11NP-150MC.pdf | |
| FR09D | FR09D HITACHI STUD | FR09D.pdf | |
| LP2980IM5X-3.2 | LP2980IM5X-3.2 NSC SMD or Through Hole | LP2980IM5X-3.2.pdf | |
| 812LN | 812LN ORIGINAL CCXH | 812LN.pdf | |
| SDCL1005C3N9S | SDCL1005C3N9S SUNLORD SMD or Through Hole | SDCL1005C3N9S.pdf | |
| BI-1 | BI-1 ORIGINAL CAN-8 | BI-1.pdf | |
| 898-1-R2.7K | 898-1-R2.7K BI DIP | 898-1-R2.7K.pdf | |
| M28F101-120P1 | M28F101-120P1 ST DIP-32 | M28F101-120P1.pdf | |
| 826648-1 | 826648-1 TEConnectivity NA | 826648-1.pdf | |
| 6450810-7 | 6450810-7 TYC SMD or Through Hole | 6450810-7.pdf |