Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10X226MR8NUNE
-10.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL10X226MR8NUNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 22µF 4V 세라믹 커패시터 X6S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL10X226MR8NUNE 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL10X226MR8NUNE 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL10X226MR8NUNE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL10X226MR8NUNE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL10X226MR8NUNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL10X226MR8NUNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10X226MR8NUNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL10X226MR8NUNE Spec CL10X226MR8NUNE Characteristics MLCC Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 온도 계수 | X6S | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2871-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL10X226MR8NUNE | |
| 관련 링크 | CL10X226M, CL10X226MR8NUNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL10X226MR8NUNE 의 관련 제품
 | VJ0805D101KLXAT | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101KLXAT.pdf | |
 | 445I33D24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I33D24M57600.pdf | |
| 1921125-5 | 1921125-5 AMP SMD or Through Hole | 1921125-5.pdf | |
| IDT29FCT520AD | IDT29FCT520AD IDT CDIP | IDT29FCT520AD.pdf | |
| A16FR20M | A16FR20M IR SMD or Through Hole | A16FR20M.pdf | |
| MT48LC4M32B2B5-6.G | MT48LC4M32B2B5-6.G MT BGA | MT48LC4M32B2B5-6.G.pdf | |
| NM2160BDF | NM2160BDF NEOMAGIC QFP | NM2160BDF.pdf | |
| LM2678-T12 | LM2678-T12 NS SMD or Through Hole | LM2678-T12.pdf | |
| 1T243 | 1T243 ORIGINAL TO-92 | 1T243.pdf | |
| 216MJBKA12FG(M76-M) | 216MJBKA12FG(M76-M) ATI BGA | 216MJBKA12FG(M76-M).pdf | |
| LQG11AR10K00T | LQG11AR10K00T ORIGINAL SMD or Through Hole | LQG11AR10K00T.pdf | |
| S-8353H40MC | S-8353H40MC SEIKO SMD or Through Hole | S-8353H40MC.pdf |