창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10C080CB8NCNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL10C080CB8NCNC Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2139-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL10C080CB8NCNC | |
| 관련 링크 | CL10C080C, CL10C080CB8NCNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
| UVZ2D4R7MPH | 4.7µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2D4R7MPH.pdf | ||
![]() | CMF55127R00DHRE | RES 127 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55127R00DHRE.pdf | |
![]() | 5032 4P 22.1184MHz | 5032 4P 22.1184MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | 5032 4P 22.1184MHz.pdf | |
![]() | SM6A27-1/2D | SM6A27-1/2D ORIGINAL SMD or Through Hole | SM6A27-1/2D.pdf | |
![]() | RN5RF30AA-TR-F | RN5RF30AA-TR-F RICOH SOT-153 | RN5RF30AA-TR-F.pdf | |
![]() | 604DH | 604DH ORIGINAL DIP-24 | 604DH.pdf | |
![]() | 3DD3E | 3DD3E CHINA SMD or Through Hole | 3DD3E.pdf | |
![]() | RVJ-6V331MG10U-R | RVJ-6V331MG10U-R ELNA SMD or Through Hole | RVJ-6V331MG10U-R.pdf | |
![]() | MAX6337US16D3+ | MAX6337US16D3+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX6337US16D3+.pdf | |
![]() | 8517-A | 8517-A ADI Call | 8517-A.pdf | |
![]() | LM2965 | LM2965 HTC SMD or Through Hole | LM2965.pdf | |
![]() | CHIPPROG-ISP | CHIPPROG-ISP PhytonInc Onlyoriginal | CHIPPROG-ISP.pdf |