창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL05B473JO5NNNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL05B473JO5NNNC Spec CL05B473JO5NNNC Characteristics MLCC Catalog | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.047µF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 16V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1276-1572-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL05B473JO5NNNC | |
| 관련 링크 | CL05B473J, CL05B473JO5NNNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | TH3A334M035E11R0 | 0.33µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1206 (3216 Metric) 11 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TH3A334M035E11R0.pdf | |
![]() | FXO-HC535-14.318 | 14.318MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC535-14.318.pdf | |
![]() | MMSD4148T1G | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123 | MMSD4148T1G.pdf | |
![]() | RC210141 | RC210141 KYO RES | RC210141.pdf | |
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![]() | KBP307M | KBP307M ORIGINAL DIP-4 | KBP307M.pdf | |
![]() | UPD65082GD-E55-5BD | UPD65082GD-E55-5BD NEC QFP | UPD65082GD-E55-5BD.pdf | |
![]() | M4H | M4H ORIGINAL SOT23-6 | M4H.pdf | |
![]() | TSL1315S681KR99PF | TSL1315S681KR99PF ORIGINAL SMD or Through Hole | TSL1315S681KR99PF.pdf | |
![]() | 54S00/BDBJC SNJ54S00W | 54S00/BDBJC SNJ54S00W TI SOP14 | 54S00/BDBJC SNJ54S00W.pdf | |
![]() | KSR22011TA | KSR22011TA FAIRCHILD SMD or Through Hole | KSR22011TA.pdf | |
![]() | 160USC1000M30X30 | 160USC1000M30X30 Rubycon DIP-2 | 160USC1000M30X30.pdf |