창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CIH05T3N0SNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CIH05T Series Chip Inductor Catalog | |
| 주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CIH05T | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 다층 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 3nH | |
| 허용 오차 | ±0.3nH | |
| 정격 전류 | 300mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 190m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 8 @ 100MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 6GHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | * | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6293-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CIH05T3N0SNC | |
| 관련 링크 | CIH05T3, CIH05T3N0SNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A120KBGAT4X | 12pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A120KBGAT4X.pdf | |
![]() | DSC1123AI5-200.0000T | 200MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123AI5-200.0000T.pdf | |
![]() | 81100000000 | 81100000000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 81100000000.pdf | |
![]() | PS1R5-12-3R3 | PS1R5-12-3R3 PowerPlaza SMD or Through Hole | PS1R5-12-3R3.pdf | |
![]() | 88SP5024-RCJ | 88SP5024-RCJ ORIGINAL QFP | 88SP5024-RCJ.pdf | |
![]() | L1A8263 | L1A8263 LSILOGI CPGA224 | L1A8263.pdf | |
![]() | C2631 | C2631 ORIGINAL TO-92 | C2631.pdf | |
![]() | IDT7M206S100C | IDT7M206S100C IDT DIP | IDT7M206S100C.pdf | |
![]() | R1223N182E | R1223N182E RICOH SOT-23-5 | R1223N182E.pdf | |
![]() | 2SK3129 | 2SK3129 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3129.pdf | |
![]() | SGM3131YTQ16/TR | SGM3131YTQ16/TR SGM TQFN-16 | SGM3131YTQ16/TR.pdf |