창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CIG22B2R2MLE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CIG22B2R2MLE Chip Inductor Catalog | |
주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CIG22B_MLE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 다층 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 2.2µH | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전류 | 900mA | |
전류 - 포화 | 1.3A | |
차폐 | 차폐 | |
DC 저항(DCR) | 170m옴 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | - | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1008(2520 미터법) | |
크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | * | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1276-6219-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CIG22B2R2MLE | |
관련 링크 | CIG22B2, CIG22B2R2MLE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
R6030635ESYA | DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB | R6030635ESYA.pdf | ||
WR04J402 | WR04J402 ORIGINAL DIP-8L | WR04J402.pdf | ||
S-812C48AMC-C3C-T2 | S-812C48AMC-C3C-T2 Seiko SMD or Through Hole | S-812C48AMC-C3C-T2.pdf | ||
MN103S46GMC | MN103S46GMC PANASONI QFP | MN103S46GMC.pdf | ||
PT5102E23E-17 | PT5102E23E-17 PT SOT23-5 | PT5102E23E-17.pdf | ||
DF23C-40DS-0.5V | DF23C-40DS-0.5V HRS SMD or Through Hole | DF23C-40DS-0.5V.pdf | ||
74040-1385 | 74040-1385 MOLEXMALAYSIAS SMD or Through Hole | 74040-1385.pdf | ||
2MBI75S-120-3 | 2MBI75S-120-3 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI75S-120-3.pdf | ||
CRA06E0839K10GTA | CRA06E0839K10GTA VISHAY SMD | CRA06E0839K10GTA.pdf | ||
LQH32MN181K23 | LQH32MN181K23 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH32MN181K23.pdf |