창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CI-B1005-47SJTW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CI-B1005-47SJTW | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CI-B1005-47SJTW | |
| 관련 링크 | CI-B1005-, CI-B1005-47SJTW 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385527085JPP2T0 | 2.7µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.846" W (43.00mm x 21.50mm) | MKP385527085JPP2T0.pdf | |
![]() | 402F1921XIJT | 19.2MHz ±10ppm 수정 9pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F1921XIJT.pdf | |
![]() | DSC7102R0L | TRANS NPN 80V 1A MINIP3 | DSC7102R0L.pdf | |
![]() | SI3421DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 | SI3421DV-T1-GE3.pdf | |
![]() | SD8102NFI | SD8102NFI HUAWEI BGA | SD8102NFI.pdf | |
![]() | ISL60002BIS8-1.2 | ISL60002BIS8-1.2 INTERSIL SOP-8P | ISL60002BIS8-1.2.pdf | |
![]() | LM2575F-3.3 | LM2575F-3.3 NS SMD or Through Hole | LM2575F-3.3.pdf | |
![]() | S-8052AL0-LG-T2 | S-8052AL0-LG-T2 SEIKO SOT-89 | S-8052AL0-LG-T2.pdf | |
![]() | RC0603JR-073K9L 0603 3.9K | RC0603JR-073K9L 0603 3.9K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603JR-073K9L 0603 3.9K.pdf | |
![]() | DFLT12A | DFLT12A DIODES SOD-123 | DFLT12A.pdf | |
![]() | VC0301 | VC0301 VIMICRO QFP | VC0301.pdf | |
![]() | LSC526506P | LSC526506P MOT SMD or Through Hole | LSC526506P.pdf |