창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDZVT2R10B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CDZV10B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 100mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | VMN2M | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | CDZVT2R10BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDZVT2R10B | |
관련 링크 | CDZVT2, CDZVT2R10B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 315300090036 | LOW HERMETIC THERMOSTAT | 315300090036.pdf | |
![]() | G431C. | G431C. GTM SOT23-3 | G431C..pdf | |
![]() | FFM103-M | FFM103-M MDD SOD-123 | FFM103-M.pdf | |
![]() | TFDS-6000D-TR3 | TFDS-6000D-TR3 vishay SMD or Through Hole | TFDS-6000D-TR3.pdf | |
![]() | P6SMB200CAT3G | P6SMB200CAT3G ON SMD or Through Hole | P6SMB200CAT3G.pdf | |
![]() | S524C80D81-SCT0 | S524C80D81-SCT0 SAMSUNG SOP-8 | S524C80D81-SCT0.pdf | |
![]() | 1121T0215 | 1121T0215 ORIGINAL PLCC68 | 1121T0215.pdf | |
![]() | BCM8220 | BCM8220 Broadcom N A | BCM8220.pdf | |
![]() | 9030006220 | 9030006220 HTG SMD or Through Hole | 9030006220.pdf | |
![]() | R9G01212 | R9G01212 Powerex module | R9G01212.pdf | |
![]() | STEL1178A | STEL1178A STEL PLCC68 | STEL1178A.pdf |