창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDZT2R5.6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CDZ5.6B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 100mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | VMN2 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | CDZT2R5.6B-ND CDZT2R5.6BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDZT2R5.6B | |
관련 링크 | CDZT2R, CDZT2R5.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C0603C470J3GACTU | 47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C470J3GACTU.pdf | |
![]() | CC0805ZRY5V7BB104 | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805ZRY5V7BB104.pdf | |
![]() | IMC1210SY330J | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 112mA 6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY330J.pdf | |
![]() | RT2512FKE0736R5L | RES SMD 36.5 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0736R5L.pdf | |
![]() | MC10H100FN | MC10H100FN MOT PLCC20 | MC10H100FN.pdf | |
![]() | XG4H-2631 | XG4H-2631 OMRON SMD or Through Hole | XG4H-2631.pdf | |
![]() | 54S174/BEB | 54S174/BEB TAIWAN CDIP | 54S174/BEB.pdf | |
![]() | CXD2552Q | CXD2552Q SONY QFP44 | CXD2552Q.pdf | |
![]() | UPD17107CX-605 | UPD17107CX-605 NEC DIP | UPD17107CX-605.pdf | |
![]() | 1.4KESD10A | 1.4KESD10A MICROSEMI SMD | 1.4KESD10A.pdf | |
![]() | LAH-50V332MS2 | LAH-50V332MS2 ELNA DIP-2 | LAH-50V332MS2.pdf | |
![]() | AN8835NSB | AN8835NSB PANASONI SSOP28 | AN8835NSB.pdf |