창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDRH6D12NP-4R2NC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CDRH6D12 Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Sumida America Components Inc. | |
| 계열 | CDRH6D12 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 4.2µH | |
| 허용 오차 | ±30% | |
| 정격 전류 | 1.8A | |
| 전류 - 포화 | 1.9A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 75m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.256" L x 0.256" W(6.50mm x 6.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.059"(1.50mm) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDRH6D12NP-4R2NC | |
| 관련 링크 | CDRH6D12N, CDRH6D12NP-4R2NC 데이터 시트, Sumida America Components Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | QVS107CG0R8CCHT | 0.80pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | QVS107CG0R8CCHT.pdf | |
![]() | 416F240X3IDR | 24MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240X3IDR.pdf | |
![]() | RL 2ZV1 | DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL | RL 2ZV1.pdf | |
![]() | 30003-917AS6062-1 | 30003-917AS6062-1 NS CDIP16 | 30003-917AS6062-1.pdf | |
![]() | 02DZ4.3-Y /4Y3 | 02DZ4.3-Y /4Y3 TOSHIBA SMD or Through Hole | 02DZ4.3-Y /4Y3.pdf | |
![]() | T1P30A | T1P30A ST DIP | T1P30A.pdf | |
![]() | LT2052HVIS | LT2052HVIS LT SMD or Through Hole | LT2052HVIS.pdf | |
![]() | TFT2N0370E | TFT2N0370E TRULY SMD or Through Hole | TFT2N0370E.pdf | |
![]() | SLSNNWH422TSCXVJ F1YJ2 | SLSNNWH422TSCXVJ F1YJ2 SAMSUNG ROHS | SLSNNWH422TSCXVJ F1YJ2.pdf | |
![]() | MSP430F4132IRGZT | MSP430F4132IRGZT TI QFN | MSP430F4132IRGZT.pdf | |
![]() | USC87730CP | USC87730CP MOT DIP | USC87730CP.pdf | |
![]() | LC8697148U | LC8697148U SANYO IC | LC8697148U.pdf |