창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDLL5281B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221UR-81BUR, e3 (or MLL5221-81B, e3) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | - | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 144V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-1592 1086-1592-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDLL5281B | |
관련 링크 | CDLL5, CDLL5281B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HQCCWM470GAH6A | 47pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 P90 2325(5864 미터법) 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | HQCCWM470GAH6A.pdf | |
![]() | 1812J2K00103KXT | 10000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812J2K00103KXT.pdf | |
![]() | ECJ-2VB1E104K | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VB1E104K.pdf | |
![]() | MA-506 18.0000M-C3: PURE SN | 18MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 18.0000M-C3: PURE SN.pdf | |
![]() | MCR03ERTF1301 | RES SMD 1.3K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF1301.pdf | |
![]() | RT0805WRE073K09L | RES SMD 3.09KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE073K09L.pdf | |
![]() | VP06874-B547481 | VP06874-B547481 VLSI QFP | VP06874-B547481.pdf | |
![]() | LDC311G9614H-742 | LDC311G9614H-742 MURATA SMD | LDC311G9614H-742.pdf | |
![]() | RT3K22M | RT3K22M IDC SOT-323 | RT3K22M.pdf | |
![]() | ECQU2A103ML | ECQU2A103ML ORIGINAL SMD or Through Hole | ECQU2A103ML.pdf | |
![]() | MAX8559ETA01+T | MAX8559ETA01+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX8559ETA01+T.pdf | |
![]() | SDSDRH-8G | SDSDRH-8G SanDisk SMD or Through Hole | SDSDRH-8G.pdf |