창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CC45SL3DD151JYNNA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CC45 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | CC45 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 150pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
| 온도 계수 | SL | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
| 크기/치수 | 0.335" Dia(8.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 특징 | 고전압, 낮은 소산율 | |
| 리드 유형 | 스트레이트형 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CC45SL3DD151JYNNA | |
| 관련 링크 | CC45SL3DD1, CC45SL3DD151JYNNA 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1103AI2-250.0000 | 250MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) | DSC1103AI2-250.0000.pdf | |
![]() | EGP50D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 | EGP50D-E3/54.pdf | |
![]() | 1N6076US | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | 1N6076US.pdf | |
![]() | 24S120C | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 74 mOhm Max Nonstandard | 24S120C.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF1001V | RES SMD 1K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1001V.pdf | |
![]() | TL750M10CKTTR | TL750M10CKTTR TI TO-263 | TL750M10CKTTR.pdf | |
![]() | ILBB1806ER800V | ILBB1806ER800V VISHAY SMD | ILBB1806ER800V.pdf | |
![]() | PEF22554E 2.1 | PEF22554E 2.1 Infineon BGA | PEF22554E 2.1.pdf | |
![]() | TO62083 | TO62083 TOS NULL | TO62083.pdf | |
![]() | RF6100-3TR1G3 | RF6100-3TR1G3 RFMD SOP | RF6100-3TR1G3.pdf | |
![]() | R1121N002D | R1121N002D RICOH/ SOT-153 SOT-23-5 | R1121N002D.pdf |