창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CC1808JKNPOEBN180 1808-18P 3KV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CC1808JKNPOEBN180 1808-18P 3KV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CC1808JKNPOEBN180 1808-18P 3KV | |
| 관련 링크 | CC1808JKNPOEBN180 , CC1808JKNPOEBN180 1808-18P 3KV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 445I32E27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32E27M00000.pdf | |
| AOT5B65M1 | IGBT 650V 5A TO220 | AOT5B65M1.pdf | ||
![]() | E3Z-B62 | SENSOR OPTO REFL 2M PREWIRED MOD | E3Z-B62.pdf | |
![]() | E2S-Q11B 1M | Inductive Proximity Sensor 0.063" (1.6mm) IP67 Module | E2S-Q11B 1M.pdf | |
![]() | AMD29LV001BT-70EC | AMD29LV001BT-70EC AMD TSOP(32 ) | AMD29LV001BT-70EC.pdf | |
![]() | 54265DMQB | 54265DMQB NSC CDIP | 54265DMQB.pdf | |
![]() | NAND04GW3B2DDI6 | NAND04GW3B2DDI6 ST SMD or Through Hole | NAND04GW3B2DDI6.pdf | |
![]() | D800049F5531 | D800049F5531 NEC BGA | D800049F5531.pdf | |
![]() | 17C128-10N1 | 17C128-10N1 ALTERA SMD or Through Hole | 17C128-10N1.pdf | |
![]() | 93LC86/PR4E | 93LC86/PR4E MICROCHIP DIP | 93LC86/PR4E.pdf | |
![]() | AT49F001AN-55TU | AT49F001AN-55TU ATMEL TSSOP | AT49F001AN-55TU.pdf | |
![]() | 51110-0460 | 51110-0460 MOLEX SMD or Through Hole | 51110-0460.pdf |