창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CC1100-RTY1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CC1100 CC1100 Errata | |
| 제조업체 제품 페이지 | CC1100-RTY1 Specifications | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 트랜시버 IC | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | TxRx만 해당 | |
| RF 제품군/표준 | 일반 ISM < 1GHz | |
| 프로토콜 | - | |
| 변조 | 2FSK, ASK, GFSK, MSK, OOK | |
| 주파수 | 300MHz ~ 348MHz, 400MHz ~ 464MHz, 800MHz ~ 928MHz | |
| 데이터 전송률(최대) | 500kBaud | |
| 전력 - 출력 | 10dBm | |
| 감도 | -111dBm | |
| 메모리 크기 | - | |
| 직렬 인터페이스 | SPI | |
| GPIO | 1 | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.6 V | |
| 전류 - 수신 | 13.9mA ~ 15.9mA | |
| 전류 - 전송 | 12.3mA ~ 31.1mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 패키지/케이스 | 20-VFQFN 노출형 패드 | |
| 표준 포장 | 92 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CC1100-RTY1 | |
| 관련 링크 | CC1100, CC1100-RTY1 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 1N3274 | DIODE GEN PURP 1.2KV 160A DO205 | 1N3274.pdf | |
![]() | ERJ-3GEYJ165V | RES SMD 1.6M OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ165V.pdf | |
![]() | RG3216P-6341-B-T1 | RES SMD 6.34K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-6341-B-T1.pdf | |
![]() | Y007564R0000C0L | RES 64 OHM 0.3W 0.25% RADIAL | Y007564R0000C0L.pdf | |
![]() | Y0007845R000B0L | RES 845 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0007845R000B0L.pdf | |
![]() | MT55A1600V | MT55A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MT55A1600V.pdf | |
![]() | M28W800BT-100N1 | M28W800BT-100N1 ST SMD or Through Hole | M28W800BT-100N1.pdf | |
![]() | BCM56300B1KEBG P21 | BCM56300B1KEBG P21 BROADCOM BGA | BCM56300B1KEBG P21.pdf | |
![]() | 65773-002 | 65773-002 BERG ORIGINAL | 65773-002.pdf | |
![]() | TC59WM815BFT75 | TC59WM815BFT75 TOS TSOP2 | TC59WM815BFT75.pdf | |
![]() | LGT676-P2Q2-23 | LGT676-P2Q2-23 Osram SMD or Through Hole | LGT676-P2Q2-23.pdf | |
![]() | D2JW-01K11-MD | D2JW-01K11-MD OMRON SMD or Through Hole | D2JW-01K11-MD.pdf |