창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR08C120F5GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 12pF | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR08C120F5GAC | |
| 관련 링크 | CBR08C12, CBR08C120F5GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | C911U650JUSDCAWL40 | 65pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U650JUSDCAWL40.pdf | |
![]() | B57153S479M | ICL 4.7 OHM 20% 3A 8.5MM | B57153S479M.pdf | |
![]() | SDR1806-8R2ML | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 7A 20 mOhm Max Nonstandard | SDR1806-8R2ML.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF2370X | RES SMD 237 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF2370X.pdf | |
![]() | CRCW12106R49FKEAHP | RES SMD 6.49 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12106R49FKEAHP.pdf | |
![]() | 800KHE | 800KHE ICS TSSOP28 | 800KHE.pdf | |
![]() | RC1206 J 1R8Y | RC1206 J 1R8Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1206 J 1R8Y.pdf | |
![]() | PSMD100E/12 | PSMD100E/12 POWERSEM MODULE | PSMD100E/12.pdf | |
![]() | LTAJE | LTAJE LT SOT23-8 | LTAJE.pdf | |
![]() | K9F8G08U1M-ICB0 | K9F8G08U1M-ICB0 SAMSUNG TSOP | K9F8G08U1M-ICB0.pdf | |
![]() | 3DO2G | 3DO2G ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DO2G.pdf | |
![]() | RT9011-XMPQWB DD-AH 11T | RT9011-XMPQWB DD-AH 11T RICHTEK QFP55 | RT9011-XMPQWB DD-AH 11T.pdf |