창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR08C109C5GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR08C109C5GAC | |
| 관련 링크 | CBR08C10, CBR08C109C5GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 445A22D30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22D30M00000.pdf | |
![]() | RSF3JT110R | RES MO 3W 110 OHM 5% AXIAL | RSF3JT110R.pdf | |
![]() | T99N1700EOF | T99N1700EOF AEG Module | T99N1700EOF.pdf | |
![]() | 3P8475XZZ-QZR5 | 3P8475XZZ-QZR5 SAMSUNG QFP44 | 3P8475XZZ-QZR5.pdf | |
![]() | LDPP#PBF | LDPP#PBF LT DFN | LDPP#PBF.pdf | |
![]() | NL252018T-R15K-N | NL252018T-R15K-N TDK SMD | NL252018T-R15K-N.pdf | |
![]() | 76650-0002 | 76650-0002 MOLEX SMD or Through Hole | 76650-0002.pdf | |
![]() | C1005C68NJ | C1005C68NJ SAGAMI SMD or Through Hole | C1005C68NJ.pdf | |
![]() | SI5440DC-T1-E3 | SI5440DC-T1-E3 VISHAY SMD or Through Hole | SI5440DC-T1-E3.pdf | |
![]() | PEX8525 | PEX8525 PIC BGA | PEX8525.pdf | |
![]() | 72V90823PQF | 72V90823PQF IDT SMD or Through Hole | 72V90823PQF.pdf |