창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR04C709D1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors RF and Microwave Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors HIQ-CBR Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 7pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 339-8671-2 339-8671-2-ND 399-8833-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR04C709D1GAC | |
| 관련 링크 | CBR04C70, CBR04C709D1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | FA18C0G2A561JNU06 | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18C0G2A561JNU06.pdf | |
![]() | CRCW1210243RFKEAHP | RES SMD 243 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW1210243RFKEAHP.pdf | |
![]() | IRGPH30MD2 | IRGPH30MD2 IR TO-247 | IRGPH30MD2.pdf | |
![]() | FA3L4Z | FA3L4Z NEC SOT-23 | FA3L4Z.pdf | |
![]() | C56R | C56R ORIGINAL SOP-8 | C56R.pdf | |
![]() | M306NNFJGP#U3 | M306NNFJGP#U3 RENESAS 128-LQFP | M306NNFJGP#U3.pdf | |
![]() | 7000-12401-6530300 | 7000-12401-6530300 MURR SMD or Through Hole | 7000-12401-6530300.pdf | |
![]() | K4F660812ETC50 | K4F660812ETC50 SAM TSOP1 | K4F660812ETC50.pdf | |
![]() | 3SK291(TE85L | 3SK291(TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | 3SK291(TE85L.pdf | |
![]() | G2U-112P-24VDC | G2U-112P-24VDC OMRON DIP | G2U-112P-24VDC.pdf |