창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR02C209B9GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 2pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR02C209B9GAC | |
| 관련 링크 | CBR02C20, CBR02C209B9GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A392KBBAT4X | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A392KBBAT4X.pdf | |
![]() | 416F3841XATT | 38.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3841XATT.pdf | |
![]() | CR2010-FX-1000ELF | RES SMD 100 OHM 1% 1/2W 2010 | CR2010-FX-1000ELF.pdf | |
![]() | S7241 | S7241 SEIKO DIP | S7241.pdf | |
![]() | ADS8318IBDGSR | ADS8318IBDGSR TI MSOP8 | ADS8318IBDGSR.pdf | |
![]() | 1206N560F500LT | 1206N560F500LT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206N560F500LT.pdf | |
![]() | MT49H8M36H425 | MT49H8M36H425 MTC BGA | MT49H8M36H425.pdf | |
![]() | TMX320DRE310ZHH | TMX320DRE310ZHH TIS Call | TMX320DRE310ZHH.pdf | |
![]() | NCV662SQ50T1G | NCV662SQ50T1G ONSEMI SOT-343 | NCV662SQ50T1G.pdf | |
![]() | UT62L1024LC | UT62L1024LC ORIGINAL SMD or Through Hole | UT62L1024LC.pdf | |
![]() | C2936L | C2936L TYCO SMD or Through Hole | C2936L.pdf | |
![]() | SDZ36VG | SDZ36VG ORIGINAL SOD123 | SDZ36VG.pdf |