창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CB3LV-3C-66M6660 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CB3, CB3LV Series Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | CB3, CB3LV Certificate of Compliance | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | CB3LV | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 66.666MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, TTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 40mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.071"(1.80mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | CB3LV-3C-66.6660-T | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CB3LV-3C-66M6660 | |
| 관련 링크 | CB3LV-3C-, CB3LV-3C-66M6660 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 445A25S14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 시리즈 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25S14M31818.pdf | |
![]() | LQH43MN471K03L | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 80mA 11.8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43MN471K03L.pdf | |
![]() | RC0100JR-074K7L | RES SMD 4.7K OHM 5% 1/32W 01005 | RC0100JR-074K7L.pdf | |
![]() | DSS71B05S | DSS71B05S CP Clare SMD or Through Hole | DSS71B05S.pdf | |
![]() | TLE6389GV5.0 | TLE6389GV5.0 INF SOP14 | TLE6389GV5.0.pdf | |
![]() | YSS950-SZ-K | YSS950-SZ-K KAGA YSS950-SZ-K | YSS950-SZ-K.pdf | |
![]() | K514-J | K514-J NEC TO-92S | K514-J.pdf | |
![]() | GL514AE0006 | GL514AE0006 SHARP DIP-2p | GL514AE0006.pdf | |
![]() | RQ5RW30BA-TR-F | RQ5RW30BA-TR-F RICOH SC-82AB | RQ5RW30BA-TR-F.pdf | |
![]() | DTA143TUA T106 | DTA143TUA T106 ROHM SOT-323 | DTA143TUA T106.pdf | |
![]() | M74HC59B1 | M74HC59B1 ST DIP | M74HC59B1.pdf | |
![]() | 1N3927 | 1N3927 IR SMD or Through Hole | 1N3927.pdf |