창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C917U750JZSDAA7317 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C900 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 75pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 440VAC | |
온도 계수 | SL | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 안전 | |
등급 | X1, Y2 | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C917U750JZSDAA7317 | |
관련 링크 | C917U750JZ, C917U750JZSDAA7317 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | ABLS3-24.576MHZ-D4YF-T | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS3-24.576MHZ-D4YF-T.pdf | |
![]() | RS3A-E3/9AT | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | RS3A-E3/9AT.pdf | |
![]() | MMSZ5221BT1G | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123 | MMSZ5221BT1G.pdf | |
![]() | MLG0402Q8N2JT000 | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 140mA 1.8 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q8N2JT000.pdf | |
![]() | RCP1206B47R0GTP | RES SMD 47 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B47R0GTP.pdf | |
![]() | PG204 | PG204 H DO-15 | PG204.pdf | |
![]() | BA6592D | BA6592D SONNY SMD or Through Hole | BA6592D.pdf | |
![]() | 74FCT16245ATPACTG4 | 74FCT16245ATPACTG4 TI TSSOP-48 | 74FCT16245ATPACTG4.pdf | |
![]() | M14D5121632A-25BG | M14D5121632A-25BG N/A SMD or Through Hole | M14D5121632A-25BG.pdf | |
![]() | 1N1594 | 1N1594 MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N1594.pdf | |
![]() | RD4B2AY680J-T1 | RD4B2AY680J-T1 TAIYO SMD or Through Hole | RD4B2AY680J-T1.pdf | |
![]() | BQ2018TS-E1(BQ | BQ2018TS-E1(BQ BB/TI TSSOP8 | BQ2018TS-E1(BQ.pdf |