창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-C4532X7T2W474M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | C4532X7T2W474M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | C4532X7T2W474M | |
관련 링크 | C4532X7T, C4532X7T2W474M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
BFC233617684 | 0.68µF Film Capacitor 275V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC233617684.pdf | ||
RT1206CRB07215RL | RES SMD 215 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07215RL.pdf | ||
FCT652M | FCT652M HAR SOP | FCT652M.pdf | ||
SDSDQ-8192-P36M | SDSDQ-8192-P36M Sandisk SMD or Through Hole | SDSDQ-8192-P36M.pdf | ||
CL11 100V 8 | CL11 100V 8 SENY SMD or Through Hole | CL11 100V 8.pdf | ||
PEB2080N V8.1 | PEB2080N V8.1 SIEMENS PLCC28 | PEB2080N V8.1.pdf | ||
CIL21J1R0MNE | CIL21J1R0MNE SAMSUNG SMD | CIL21J1R0MNE.pdf | ||
SG2011-3.3XN3 | SG2011-3.3XN3 SGMC SOT23-3 | SG2011-3.3XN3.pdf | ||
IPA030N10N | IPA030N10N ORIGINAL TO-220F | IPA030N10N.pdf | ||
SME1701PGA6471500 | SME1701PGA6471500 SUN CPGA | SME1701PGA6471500.pdf | ||
MMBD6610LT1 | MMBD6610LT1 ON SOT-23 | MMBD6610LT1.pdf | ||
WP92879L1 | WP92879L1 TI QFP | WP92879L1.pdf |