창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216X5R1V475M160AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216X5R1V475M160AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 35V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-14702-2 C3216X5R1V475MT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C3216X5R1V475M160AB | |
관련 링크 | C3216X5R1V4, C3216X5R1V475M160AB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
BZW04-13B | TVS DIODE 12.8VWM 27.2VC DO15 | BZW04-13B.pdf | ||
416F25025CDR | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025CDR.pdf | ||
4922-38H | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 10 Ohm Max 2-SMD | 4922-38H.pdf | ||
2207M | 2207M XR CDIP | 2207M.pdf | ||
AXK722145 | AXK722145 NAIS SMD or Through Hole | AXK722145.pdf | ||
L6561DTR013 | L6561DTR013 ST SMD or Through Hole | L6561DTR013.pdf | ||
AD547AJH | AD547AJH AD CAN8 | AD547AJH.pdf | ||
ADM690AR | ADM690AR AD SOP8 | ADM690AR.pdf | ||
PDTA144EU | PDTA144EU NXP SOT323 | PDTA144EU.pdf | ||
751668AIZ | 751668AIZ TI BGA | 751668AIZ.pdf | ||
M29W256GL-70ZA6 | M29W256GL-70ZA6 INTEL BGA | M29W256GL-70ZA6.pdf |