창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C2012X5R1V105M085AB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C2012X5R1V105M085AB Character Sheet | |
| 제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 35V | |
| 온도 계수 | X5R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 445-14416-2 C2012X5R1V105MT0J0N | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C2012X5R1V105M085AB | |
| 관련 링크 | C2012X5R1V1, C2012X5R1V105M085AB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CM453232-R47ML | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 545mA 320 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | CM453232-R47ML.pdf | |
![]() | CMF551K8900CER6 | RES 1.89K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF551K8900CER6.pdf | |
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![]() | SRSQ104-2R2N CHOKE 2.2uH 30 8A 0.015R 10 | SRSQ104-2R2N CHOKE 2.2uH 30 8A 0.015R 10 SPORTON 10.310.4 | SRSQ104-2R2N CHOKE 2.2uH 30 8A 0.015R 10.pdf | |
![]() | HS1-26C31/SAMPLE | HS1-26C31/SAMPLE ISL SMD or Through Hole | HS1-26C31/SAMPLE.pdf | |
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![]() | SD303R25S20PSC | SD303R25S20PSC IR SMD or Through Hole | SD303R25S20PSC.pdf | |
![]() | SGM3132YDE8G | SGM3132YDE8G ORIGINAL DFN8 | SGM3132YDE8G.pdf | |
![]() | UTHXX0257506 | UTHXX0257506 HangzhouR SMD or Through Hole | UTHXX0257506.pdf | |
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