창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012JB1C155M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | C2012JB1C155M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | C2012JB1C155M | |
관련 링크 | C2012JB, C2012JB1C155M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | T95C106M025CZSS | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2812 (7132 Metric) 570 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | T95C106M025CZSS.pdf | |
![]() | JS1F-B-18V-F | JS RELAY 1 FORM C 18V | JS1F-B-18V-F.pdf | |
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![]() | MCT06030D2321BP500 | RES SMD 2.32KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2321BP500.pdf | |
![]() | 16P8R-1206-22K | 16P8R-1206-22K N/A SMD or Through Hole | 16P8R-1206-22K.pdf | |
![]() | S1119V1-3-2 | S1119V1-3-2 SAMSUNG SMD or Through Hole | S1119V1-3-2.pdf | |
![]() | KA1H0680RFBYDTU | KA1H0680RFBYDTU FAIRCHILD TO-3P-5L | KA1H0680RFBYDTU.pdf | |
![]() | H5DU5162RTR-E3C | H5DU5162RTR-E3C Hynix DDR32Mx16PC400TSO | H5DU5162RTR-E3C.pdf | |
![]() | 820-877MHZ | 820-877MHZ MURATA SMD or Through Hole | 820-877MHZ.pdf | |
![]() | BLM41A800SPTM0003E25 | BLM41A800SPTM0003E25 MURATA SMD or Through Hole | BLM41A800SPTM0003E25.pdf | |
![]() | PT5127E23F-E | PT5127E23F-E PowTech SOT23-6 | PT5127E23F-E.pdf |