창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1808C100KHRACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip_High Voltage | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 3000V(3kV) | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | SMPS 필터링 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1808(4520 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.069"(1.75mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | C1808C100KHRAC C1808C100KHRAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1808C100KHRACTU | |
| 관련 링크 | C1808C100, C1808C100KHRACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | DC630-334K | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 1.72A 315 mOhm Max Radial | DC630-334K.pdf | |
![]() | RG1608N-2611-W-T5 | RES SMD 2.61K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2611-W-T5.pdf | |
![]() | TNPW06035K90BEEN | RES SMD 5.9K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06035K90BEEN.pdf | |
![]() | Q2C684050K00DE3 | Q2C684050K00DE3 VISHAY DIP | Q2C684050K00DE3.pdf | |
![]() | LP2989ILDX-5.0 | LP2989ILDX-5.0 NS QFN-8 | LP2989ILDX-5.0.pdf | |
![]() | CM01078 | CM01078 TI SOP8 | CM01078.pdf | |
![]() | SN74HC30DRG4 | SN74HC30DRG4 TI SOP-14 | SN74HC30DRG4.pdf | |
![]() | FS16KM-9 | FS16KM-9 MITSUBISHI SMD or Through Hole | FS16KM-9.pdf | |
![]() | NRGB221M10V6.3x11F | NRGB221M10V6.3x11F NIC DIP | NRGB221M10V6.3x11F.pdf | |
![]() | C153 | C153 NSC PLCC44 | C153.pdf | |
![]() | GZ2012D122T | GZ2012D122T ORIGINAL SMD or Through Hole | GZ2012D122T.pdf | |
![]() | 60227-16 | 60227-16 PAC-TEC SMD or Through Hole | 60227-16.pdf |