창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1220X7R1H223K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | C Series, Low ESL Flipped Type | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| 주요제품 | C Series Reverse Geometry MLCCs | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2176 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.022µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 바이패스, 디커플링 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0508(1220 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.049" L x 0.079" W(1.25mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL(역 기하구조) | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 445-1804-2 C1220X7R1H223KT C1220X7R1H223KT000N | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1220X7R1H223K | |
| 관련 링크 | C1220X7R, C1220X7R1H223K 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C901U470JYSDAA7317 | 47pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U470JYSDAA7317.pdf | |
| VLZ8V2C-GS18 | DIODE ZENER 8.24V 500MW SOD80 | VLZ8V2C-GS18.pdf | ||
![]() | RAVF162DJT510R | RES ARRAY 2 RES 510 OHM 0606 | RAVF162DJT510R.pdf | |
![]() | FSTU32160AMTD | FSTU32160AMTD FAI TSSOP | FSTU32160AMTD.pdf | |
![]() | MCP3425A5T-E/CH | MCP3425A5T-E/CH MICROCHIP SOT23-6 | MCP3425A5T-E/CH.pdf | |
![]() | GP1S74 3p.5mm | GP1S74 3p.5mm SHARP SMD or Through Hole | GP1S74 3p.5mm.pdf | |
![]() | M422 | M422 ORIGINAL SOP8 | M422.pdf | |
![]() | L1B5610 | L1B5610 LSI QFP120 | L1B5610.pdf | |
![]() | BSME800EC3221MLN3S | BSME800EC3221MLN3S Chemi-con NA | BSME800EC3221MLN3S.pdf | |
![]() | LM335AH/883Q | LM335AH/883Q NS SMD or Through Hole | LM335AH/883Q.pdf | |
![]() | TC40H155P | TC40H155P TOSHIB SMD or Through Hole | TC40H155P.pdf |