창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C829D1GACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8.2pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | C1206C829D1GAC C1206C829D1GAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C829D1GACTU | |
| 관련 링크 | C1206C829, C1206C829D1GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3809AC-D-28EB | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 36mA Enable/Disable | SIT3809AC-D-28EB.pdf | |
![]() | 1N965-1 | 1N965-1 MICROSEMI SMD | 1N965-1.pdf | |
![]() | RD39FM-T1B | RD39FM-T1B NEC SOD106 | RD39FM-T1B.pdf | |
![]() | UPD780022AGK-B32-9ET | UPD780022AGK-B32-9ET NEC TQFP | UPD780022AGK-B32-9ET.pdf | |
![]() | AVC16646 | AVC16646 TI TSSOP56 | AVC16646.pdf | |
![]() | HD6473887W | HD6473887W HITACHI SMD or Through Hole | HD6473887W.pdf | |
![]() | NM27C256Q25 | NM27C256Q25 NSC SMD or Through Hole | NM27C256Q25.pdf | |
![]() | 2-84981-6 | 2-84981-6 AMP SMD or Through Hole | 2-84981-6.pdf | |
![]() | SMG200VB271M20X30LL | SMG200VB271M20X30LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | SMG200VB271M20X30LL.pdf | |
![]() | 5388E4.9 | 5388E4.9 ORIGINAL QFN | 5388E4.9.pdf | |
![]() | 2SC5103 TLR | 2SC5103 TLR ROHM SMD or Through Hole | 2SC5103 TLR.pdf |