창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1206C475K8RACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2141 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 10V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 399-4950-2 C1206C475K8RAC C1206C475K8RAC7800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1206C475K8RACTU | |
관련 링크 | C1206C475, C1206C475K8RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | GRM1885C2A470JA01J | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A470JA01J.pdf | |
![]() | VJ0402D6R8BXBAP | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R8BXBAP.pdf | |
![]() | ASTMHTE-66.666MHZ-ZJ-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-66.666MHZ-ZJ-E-T3.pdf | |
![]() | S3076II | S3076II AMCC BGA | S3076II.pdf | |
![]() | 4767639/A38035 | 4767639/A38035 OKI DIP-16 | 4767639/A38035.pdf | |
![]() | 1N4884 | 1N4884 MICROSEMI SMD | 1N4884.pdf | |
![]() | IRF630/TSP630M | IRF630/TSP630M TRUESEMI TO-220 | IRF630/TSP630M.pdf | |
![]() | 21.5K(2152)±1%1206 | 21.5K(2152)±1%1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | 21.5K(2152)±1%1206.pdf | |
![]() | QWV190AT5 | QWV190AT5 ORIGINAL PLCC | QWV190AT5.pdf | |
![]() | LA1177-E | LA1177-E ORIGINAL SMD or Through Hole | LA1177-E.pdf | |
![]() | LM359N 221-189 | LM359N 221-189 NS DIP-14 | LM359N 221-189.pdf |