창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1206C330M4GACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 33pF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | C1206C330M4GAC C1206C330M4GAC7800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1206C330M4GACTU | |
관련 링크 | C1206C330, C1206C330M4GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
BZV55-C18,115 | DIODE ZENER 18V 500MW SOD80C | BZV55-C18,115.pdf | ||
CM1011-755 | 7.5mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.4A DCR 300 mOhm | CM1011-755.pdf | ||
VLF3012AT-1R5N1R2 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 68 mOhm Max Nonstandard | VLF3012AT-1R5N1R2.pdf | ||
HS150 20R F | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 150W | HS150 20R F.pdf | ||
Y1121100R000T49R | RES SMD 100OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121100R000T49R.pdf | ||
3314S-1-105E | 3314S-1-105E Bourns DIP | 3314S-1-105E.pdf | ||
BIR-NM23C2-I | BIR-NM23C2-I BRIGHT ROHS | BIR-NM23C2-I.pdf | ||
MCR704AT4G | MCR704AT4G ON TO-252(DPAK) | MCR704AT4G.pdf | ||
ADC0820CIWMX | ADC0820CIWMX NSC Call | ADC0820CIWMX.pdf | ||
91164315 | 91164315 NA SMD or Through Hole | 91164315.pdf | ||
MAX1907AETL. | MAX1907AETL. MAXIM QFN | MAX1907AETL..pdf | ||
NX3L2467HR115 | NX3L2467HR115 NXP SMD DIP | NX3L2467HR115.pdf |