창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C225K3PACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| PCN 설계/사양 | C1206C225xxPAC Series 12/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 2.2µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | X5R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 399-9334-2 C1206C225K3PAC C1206C225K3PAC7800 C1206C225K3PACTU-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C225K3PACTU | |
| 관련 링크 | C1206C225, C1206C225K3PACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 400HXG220MEFCSN25X35 | 220µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 400HXG220MEFCSN25X35.pdf | |
![]() | BFC238360753 | 0.075µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC238360753.pdf | |
![]() | CR4260-20 | Current Sensor 20A 2 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module | CR4260-20.pdf | |
![]() | AMBA140205 | MOTION SENSOR H TYPE 5CM | AMBA140205.pdf | |
![]() | 1AJA106K004RNJ | 1AJA106K004RNJ AVX A | 1AJA106K004RNJ.pdf | |
![]() | M48T35AV-70PC1 | M48T35AV-70PC1 ST DIP | M48T35AV-70PC1.pdf | |
![]() | TC74LCX86F(K,F) | TC74LCX86F(K,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74LCX86F(K,F).pdf | |
![]() | BR34LO2FV-WE2 | BR34LO2FV-WE2 ROHM SMD or Through Hole | BR34LO2FV-WE2.pdf | |
![]() | LA4178 | LA4178 SANYO DIP | LA4178.pdf | |
![]() | FM3164-G RIC | FM3164-G RIC ORIGINAL SOP14 | FM3164-G RIC.pdf | |
![]() | X033BN | X033BN SAMSUNG QFN | X033BN.pdf |