창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1005X7R1E682M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2175 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 6800pF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 445-4934-2 C1005X7R1E682MT000F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1005X7R1E682M | |
| 관련 링크 | C1005X7R, C1005X7R1E682M 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B88069X7890B502 | T83-C600X | B88069X7890B502.pdf | |
![]() | AT29BV010A-12JC | AT29BV010A-12JC ATM PLCC | AT29BV010A-12JC.pdf | |
![]() | MB39A106PFT-G-BND-ERE1 | MB39A106PFT-G-BND-ERE1 FUJITSU SSOP | MB39A106PFT-G-BND-ERE1.pdf | |
![]() | M51383ASP | M51383ASP MITSUBISHI SOP | M51383ASP.pdf | |
![]() | R1114Q251B-TR-FA | R1114Q251B-TR-FA RICOH SOT343 | R1114Q251B-TR-FA.pdf | |
![]() | M48871P | M48871P MIT DIP | M48871P.pdf | |
![]() | MAX6357TZUT+T | MAX6357TZUT+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6357TZUT+T.pdf | |
![]() | LT1952EGN-1#PBF | LT1952EGN-1#PBF LINEAR SSOP16 | LT1952EGN-1#PBF.pdf | |
![]() | GF-GO7600-H-A2 | GF-GO7600-H-A2 NVIDIA BGA | GF-GO7600-H-A2.pdf | |
![]() | CY-29 | CY-29 SUNX SMD or Through Hole | CY-29.pdf | |
![]() | FC-25532.7680K | FC-25532.7680K EPSON SMD | FC-25532.7680K.pdf | |
![]() | BSA21LT1G | BSA21LT1G ON SOT23 | BSA21LT1G.pdf |