창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C821G5GALTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | L | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 820pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | C0603C821G5GAL C0603C821G5GAL7867 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C821G5GALTU | |
관련 링크 | C0603C821, C0603C821G5GALTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | DMN3035LWN-7 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | DMN3035LWN-7.pdf | |
![]() | 1210R-681K | 680nH Unshielded Inductor 588mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | 1210R-681K.pdf | |
![]() | AD827SQ/883BQ | AD827SQ/883BQ AD CDIP-8 | AD827SQ/883BQ.pdf | |
![]() | MT29F2G16ABDHC | MT29F2G16ABDHC ORIGINAL SMD or Through Hole | MT29F2G16ABDHC.pdf | |
![]() | IR3Y10N1(T1) | IR3Y10N1(T1) SHARP SOP24 | IR3Y10N1(T1).pdf | |
![]() | 78L05M | 78L05M UTC SOP-8 | 78L05M.pdf | |
![]() | 3314G001100E | 3314G001100E BOURNS 5X5 | 3314G001100E.pdf | |
![]() | HY-7128 | HY-7128 HY SMD or Through Hole | HY-7128.pdf | |
![]() | PIC18F67K22-I/PT | PIC18F67K22-I/PT MICROCHIP TQFP | PIC18F67K22-I/PT.pdf | |
![]() | RN70D1004FRE6 | RN70D1004FRE6 VISHAY DIP | RN70D1004FRE6.pdf | |
![]() | 3BWD5V-F | 3BWD5V-F BIVAR DIP | 3BWD5V-F.pdf | |
![]() | DG405BP/883 | DG405BP/883 MAX/SIL/INTE DIP | DG405BP/883.pdf |