창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0603C103K1RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2139 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10000pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 399-3189-2 C0603C103K1RAC C0603C103K1RAC7867 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0603C103K1RACTU | |
| 관련 링크 | C0603C103, C0603C103K1RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 402F40011CLR | 40MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F40011CLR.pdf | |
![]() | GSXD050A004S1-D3 | DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 | GSXD050A004S1-D3.pdf | |
![]() | CW01091R00JE73 | RES 91 OHM 13W 5% AXIAL | CW01091R00JE73.pdf | |
![]() | Y0104500R000T9L | RES 500 OHM 1W 0.01% AXIAL | Y0104500R000T9L.pdf | |
![]() | TOP412C | TOP412C ORIGINAL SMD or Through Hole | TOP412C.pdf | |
![]() | SST85LD1001T-60-RI-1S-K | SST85LD1001T-60-RI-1S-K SST SMD or Through Hole | SST85LD1001T-60-RI-1S-K.pdf | |
![]() | RF6027 | RF6027 RFMD QFN | RF6027.pdf | |
![]() | 5P5M,8P2M,8P4M | 5P5M,8P2M,8P4M NEC SMD or Through Hole | 5P5M,8P2M,8P4M.pdf | |
![]() | F2427* | F2427* ORIGINAL SMD or Through Hole | F2427*.pdf | |
![]() | TMOV14R200M | TMOV14R200M LITTELFUSE SMD or Through Hole | TMOV14R200M.pdf | |
![]() | LM22675-MRX-5.0 | LM22675-MRX-5.0 ORIGINAL NA | LM22675-MRX-5.0.pdf | |
![]() | M37274MA-221SP | M37274MA-221SP RENESAS SMD or Through Hole | M37274MA-221SP.pdf |