창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C0G1E9R1B030BG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, High Q C Series, High Q Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | C-Series High Q Capacitors | |
PCN 단종/ EOL | C0603C0G1E Series 19/Feb/2015 | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 9.1pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 445-7063-2 C0603C0G1E9R1BTX C0603C0G1E9R1BTX0NN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C0G1E9R1B030BG | |
관련 링크 | C0603C0G1E9, C0603C0G1E9R1B030BG 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
CGA8M1X7T2J224M200KC | 0.22µF 630V 세라믹 커패시터 X7T 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8M1X7T2J224M200KC.pdf | ||
18082A102KAT2A | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 18082A102KAT2A.pdf | ||
MD015A101JAB | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2-DIP 0.260" L x 0.100" W(6.60mm x 2.54mm) | MD015A101JAB.pdf | ||
IRFPC50LCPBF | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC | IRFPC50LCPBF.pdf | ||
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GF2V398M64100 | GF2V398M64100 SAMW DIP2 | GF2V398M64100.pdf | ||
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