창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85C18_T50R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX85C3V3 - C56 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 12.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX85C18_T50R-ND BZX85C18_T50RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX85C18_T50R | |
관련 링크 | BZX85C1, BZX85C18_T50R 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | Q6N4RP | TRIAC 600V 1A DO214 | Q6N4RP.pdf | |
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![]() | TNY265N | TNY265N POWER DIP | TNY265N.pdf | |
![]() | C3225X7R2E224MT000N | C3225X7R2E224MT000N TDK SMD or Through Hole | C3225X7R2E224MT000N.pdf | |
![]() | RSHQ-012-SA | RSHQ-012-SA SHINMEI DIP-SOP | RSHQ-012-SA.pdf |