창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85B5V1-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX85 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 1.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX85B5V1-TR | |
관련 링크 | BZX85B5, BZX85B5V1-TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GQM2195C2E3R0WB12D | 3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2E3R0WB12D.pdf | |
![]() | ECS-143-18-5PXEN-TR | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-143-18-5PXEN-TR.pdf | |
![]() | WW5JB5R00 | RES 5 OHM 5W 5% AXIAL | WW5JB5R00.pdf | |
![]() | 1974-10-01 | 27303 EXAR CDIP8 | 1974-10-01.pdf | |
![]() | IDT70V3589S133BCGI | IDT70V3589S133BCGI IDT BGA | IDT70V3589S133BCGI.pdf | |
![]() | NJM064V (TE2) | NJM064V (TE2) JRC SSOP | NJM064V (TE2).pdf | |
![]() | DP9322N | DP9322N NS DIP16 | DP9322N.pdf | |
![]() | M29W800B | M29W800B STM IC | M29W800B.pdf | |
![]() | CSP2200B1-YV10-LDT | CSP2200B1-YV10-LDT AGERE BGA | CSP2200B1-YV10-LDT.pdf | |
![]() | PEC12-xxxxF-Nxxxx | PEC12-xxxxF-Nxxxx BOURNS SMD or Through Hole | PEC12-xxxxF-Nxxxx.pdf | |
![]() | RJJ-50V100ME3E | RJJ-50V100ME3E ELNA DIP | RJJ-50V100ME3E.pdf | |
![]() | WHM801-001 | WHM801-001 MOT SMD or Through Hole | WHM801-001.pdf |