창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-B2V7,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84J Series | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-12010-2-ND 934060949115 BZX84J-B2V7 T/R BZX84J-B2V7 T/R-ND BZX84J-B2V7,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84J-B2V7,115 | |
| 관련 링크 | BZX84J-B2, BZX84J-B2V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 02013A3R9CAQ2A | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02013A3R9CAQ2A.pdf | |
![]() | US5J-C | US5J-C KTG SMC | US5J-C.pdf | |
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![]() | SVC363 | SVC363 SANYO . SMD-6 | SVC363.pdf | |
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![]() | SMBG28HE3/5B | SMBG28HE3/5B VISHAY SMD or Through Hole | SMBG28HE3/5B.pdf | |
![]() | KA5SDKAS01TSN-G | KA5SDKAS01TSN-G KAWASAKI TSSOP-8 | KA5SDKAS01TSN-G.pdf | |
![]() | PESD15VS2UQ,115 | PESD15VS2UQ,115 NXP SMD or Through Hole | PESD15VS2UQ,115.pdf | |
![]() | LK1aF-DC12V | LK1aF-DC12V ORIGINAL SMD or Through Hole | LK1aF-DC12V.pdf | |
![]() | S80818ALNPEAFT2 | S80818ALNPEAFT2 SEIKO SMD or Through Hole | S80818ALNPEAFT2.pdf |