창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C9V1LT3G | |
| 관련 링크 | BZX84C9, BZX84C9V1LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F271XXADT | 27.12MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271XXADT.pdf | |
![]() | NR10050T4R9N | 4.9µH Shielded Wirewound Inductor 6A 19.5 mOhm Max Nonstandard | NR10050T4R9N.pdf | |
![]() | RT0603DRE0760K4L | RES SMD 60.4KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0760K4L.pdf | |
![]() | LM1117T-2.5/NOPB | LM1117T-2.5/NOPB NSC TO-220 | LM1117T-2.5/NOPB.pdf | |
![]() | PCF8566P/T | PCF8566P/T PH SMD or Through Hole | PCF8566P/T.pdf | |
![]() | RS5RM5045A-T1-FA | RS5RM5045A-T1-FA RICOH SMD or Through Hole | RS5RM5045A-T1-FA.pdf | |
![]() | PPD1R5-12-5 | PPD1R5-12-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | PPD1R5-12-5.pdf | |
![]() | T-64XAJE | T-64XAJE ORIGINAL CAN | T-64XAJE.pdf | |
![]() | LDC15B190J1441H -031 | LDC15B190J1441H -031 ORIGINAL SMD or Through Hole | LDC15B190J1441H -031.pdf | |
![]() | 2SB1189 T101R | 2SB1189 T101R ROHM SOT89 | 2SB1189 T101R.pdf | |
![]() | 420OACD | 420OACD SEMI SMD or Through Hole | 420OACD.pdf | |
![]() | TLE5224ES | TLE5224ES SIEMENS SOP24 | TLE5224ES.pdf |