창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1-G3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84-G Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C9V1-G3-08 | |
| 관련 링크 | BZX84C9V1, BZX84C9V1-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| UHE1V182MHD6 | 1800µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE1V182MHD6.pdf | ||
![]() | 500S42E102JV4E | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 500S42E102JV4E.pdf | |
![]() | 416F48022AKR | 48MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48022AKR.pdf | |
![]() | AD627BR-REEL | AD627BR-REEL AD SOP8 | AD627BR-REEL.pdf | |
![]() | A056DN01 | A056DN01 AUO LCD | A056DN01.pdf | |
![]() | 211CL3S2160 | 211CL3S2160 FCIMVL SMD or Through Hole | 211CL3S2160.pdf | |
![]() | V23079-C1108-B301 | V23079-C1108-B301 ORMON NEW | V23079-C1108-B301.pdf | |
![]() | UPS2C100MPH | UPS2C100MPH nic DIP | UPS2C100MPH.pdf | |
![]() | LT6011AIS8TRPBF | LT6011AIS8TRPBF LINEARTECH SMD or Through Hole | LT6011AIS8TRPBF.pdf | |
![]() | CL21C122JBFNNNC | CL21C122JBFNNNC SAMSUNG SMD | CL21C122JBFNNNC.pdf | |
![]() | N65 | N65 ORIGINAL SMD or Through Hole | N65.pdf | |
![]() | KTC3192-O-AT/P | KTC3192-O-AT/P KEC TO92 | KTC3192-O-AT/P.pdf |