창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C8V2TS-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCX84C2V4TS - BCX84C39TS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 3/May/2011 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 3 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C8V2TS-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C8V2, BZX84C8V2TS-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 3-1415009-7 | V23086R1801A403-EV-BLBOX | 3-1415009-7.pdf | |
![]() | HS100 30K F | RES CHAS MNT 30K OHM 1% 100W | HS100 30K F.pdf | |
![]() | H8107RBDA | RES 107 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8107RBDA.pdf | |
![]() | PVZ3A683C01 | PVZ3A683C01 muRata SMD or Through Hole | PVZ3A683C01.pdf | |
![]() | 5103311-7 | 5103311-7 AMP/WSI SMD or Through Hole | 5103311-7.pdf | |
![]() | 4500M/GM | 4500M/GM EMC SMD or Through Hole | 4500M/GM.pdf | |
![]() | S-44205B01-GGY100J | S-44205B01-GGY100J N/A SMD or Through Hole | S-44205B01-GGY100J.pdf | |
![]() | M35055-067FP | M35055-067FP RENESAS SMD or Through Hole | M35055-067FP.pdf | |
![]() | NRD227M04R12 | NRD227M04R12 NECElec SMD or Through Hole | NRD227M04R12.pdf | |
![]() | SKM200GAL120DKL | SKM200GAL120DKL SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM200GAL120DKL.pdf | |
![]() | IRM049U6 | IRM049U6 SHARP N A | IRM049U6.pdf | |
![]() | HCC4520B | HCC4520B IR SSOP30 | HCC4520B.pdf |