창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C8V2-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C8V2DITR BZX84C8V2T BZX84C8V2TR BZX84C8V2TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C8V2-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C8V2-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C2012JB1C106K125AB | 10µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1C106K125AB.pdf | |
![]() | TC124-FR-0753K6L | RES ARRAY 4 RES 53.6K OHM 0804 | TC124-FR-0753K6L.pdf | |
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![]() | GT48520 | GT48520 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT48520.pdf | |
![]() | TWL30278QW | TWL30278QW TI BGA | TWL30278QW.pdf | |
![]() | BCM5482A1KFB | BCM5482A1KFB Broadcom BGA | BCM5482A1KFB.pdf | |
![]() | BAV23S-7-F TEL:82766440 | BAV23S-7-F TEL:82766440 DIODES SOT23 | BAV23S-7-F TEL:82766440.pdf | |
![]() | BC328-25/40/16 | BC328-25/40/16 NXP TO-92 | BC328-25/40/16.pdf | |
![]() | RB1V108M1631MBB280 | RB1V108M1631MBB280 SAMWHA SMD or Through Hole | RB1V108M1631MBB280.pdf | |
![]() | RM632110 | RM632110 ORIGINAL DIP | RM632110.pdf | |
![]() | CM80616004794AASLBTB | CM80616004794AASLBTB INTEL SMD or Through Hole | CM80616004794AASLBTB.pdf | |
![]() | PE53829S | PE53829S pulse SMD or Through Hole | PE53829S.pdf |