창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C8V2-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C8V2-FDITR BZX84C8V27F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C8V2-7-F | |
관련 링크 | BZX84C8, BZX84C8V2-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SH010M050ST | 1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 159.15 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SH010M050ST.pdf | |
![]() | RNF14JTD47K0 | RES 47K OHM 1/4W 5% AXIAL | RNF14JTD47K0.pdf | |
![]() | CMF55150K00BHEA | RES 150K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55150K00BHEA.pdf | |
![]() | ADS9230 | ADS9230 ADS SOP8 | ADS9230.pdf | |
![]() | 0670B-400 | 0670B-400 CMD SMD or Through Hole | 0670B-400.pdf | |
![]() | TZM5248B-GS0844 | TZM5248B-GS0844 VISHAY SMD or Through Hole | TZM5248B-GS0844.pdf | |
![]() | ASM161JCUSF | ASM161JCUSF ALLIANCE SOT143 | ASM161JCUSF.pdf | |
![]() | RV30YN-20S-B102 | RV30YN-20S-B102 TOCOS DIP | RV30YN-20S-B102.pdf | |
![]() | K100J10C0GH5L2 | K100J10C0GH5L2 VISHAY DIP | K100J10C0GH5L2.pdf | |
![]() | F711112BGP | F711112BGP ORIGINAL SMD or Through Hole | F711112BGP.pdf | |
![]() | MO1 TQFN8 3X3 | MO1 TQFN8 3X3 LFWB TQFN8 | MO1 TQFN8 3X3.pdf | |
![]() | SKKH19/02E | SKKH19/02E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH19/02E.pdf |