창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C6V2SDITR BZX84C6V2STR BZX84C6V2STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C6V2S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V2S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-42-12-7S-TR | 4.194304MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-42-12-7S-TR.pdf | |
| EWT100JB100R | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 100W | EWT100JB100R.pdf | ||
![]() | LTSTF104ZBTBM | LTSTF104ZBTBM ORIGINAL SMD | LTSTF104ZBTBM.pdf | |
![]() | TC75S58FE(TE85L,F) | TC75S58FE(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC75S58FE(TE85L,F).pdf | |
![]() | RS16A | RS16A AUK SMA | RS16A.pdf | |
![]() | RC1206JR-0730RL 1206 30R | RC1206JR-0730RL 1206 30R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1206JR-0730RL 1206 30R.pdf | |
![]() | 0307-331K | 0307-331K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0307-331K.pdf | |
![]() | BK2915.1 | BK2915.1 BN SOP28 | BK2915.1.pdf | |
![]() | DS90LV032ATM+ | DS90LV032ATM+ NSC SMD or Through Hole | DS90LV032ATM+.pdf | |
![]() | 5.5V ,5.6V, | 5.5V ,5.6V, ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.5V ,5.6V,.pdf | |
![]() | LLVC573A | LLVC573A PHILIPS SOP | LLVC573A.pdf | |
![]() | RN5VT42CA | RN5VT42CA RICOH SOT | RN5VT42CA.pdf |