창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C6V2LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C6V2LT1G | |
| 관련 링크 | BZX84C6, BZX84C6V2LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FDC6420C | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 | FDC6420C.pdf | |
![]() | ISL54047IRUZ-T | ISL54047IRUZ-T INTERSIL QFN | ISL54047IRUZ-T.pdf | |
![]() | 1206B824K160CT | 1206B824K160CT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B824K160CT.pdf | |
![]() | 3.54.018.3L | 3.54.018.3L ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.54.018.3L.pdf | |
![]() | DSA321SCA19.2000MHZ | DSA321SCA19.2000MHZ KDS 3225 | DSA321SCA19.2000MHZ.pdf | |
![]() | 2SB799-T1/MK | 2SB799-T1/MK NEC SOT89 | 2SB799-T1/MK.pdf | |
![]() | 2WSP3624 | 2WSP3624 BournsInc SMD or Through Hole | 2WSP3624.pdf | |
![]() | CYBUS3L384QC | CYBUS3L384QC CYP SSOP24 | CYBUS3L384QC.pdf | |
![]() | G3NA-210B(J) | G3NA-210B(J) ORIGINAL SMD or Through Hole | G3NA-210B(J).pdf | |
![]() | AM800D725 | AM800D725 ANA SOP | AM800D725.pdf | |
![]() | SA9904BPA | SA9904BPA SA DIP | SA9904BPA.pdf | |
![]() | 1-1658013-1 | 1-1658013-1 TYCO SMD or Through Hole | 1-1658013-1.pdf |