창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C5V6S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C5V6SDITR BZX84C5V6STR BZX84C5V6STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C5V6S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C5, BZX84C5V6S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GF1G-E3/67A | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA | GF1G-E3/67A.pdf | |
![]() | MC33275ST-33T3G | MC33275ST-33T3G ON SOT223 | MC33275ST-33T3G.pdf | |
![]() | TMP320C50HQ | TMP320C50HQ TI QFP | TMP320C50HQ.pdf | |
![]() | RG85848P/SL77Y | RG85848P/SL77Y INTEL BGA | RG85848P/SL77Y.pdf | |
![]() | C6122 | C6122 N/A SMD or Through Hole | C6122.pdf | |
![]() | S089BG0B | S089BG0B ORIGINAL SMD or Through Hole | S089BG0B.pdf | |
![]() | SN75162BDWR | SN75162BDWR ORIGINAL SMD or Through Hole | SN75162BDWR.pdf | |
![]() | TDK-PB9808 | TDK-PB9808 ORIGINAL SMD or Through Hole | TDK-PB9808.pdf | |
![]() | FW80001 | FW80001 INTEL BGA | FW80001.pdf | |
![]() | XPC8212P50B3 | XPC8212P50B3 N/A BGA | XPC8212P50B3.pdf | |
![]() | UPPD4516421G5-A12-7JF | UPPD4516421G5-A12-7JF NEC SMD or Through Hole | UPPD4516421G5-A12-7JF.pdf |