창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C51-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C43, 47, 51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 35.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C51-FDITR BZX84C517F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C51-7-F | |
관련 링크 | BZX84C5, BZX84C51-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
ASTMHTV-66.666MHZ-XJ-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-66.666MHZ-XJ-E-T3.pdf | ||
RT0805BRE07113KL | RES SMD 113K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07113KL.pdf | ||
MBB02070C3001DC100 | RES 3K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C3001DC100.pdf | ||
ADM207EARZREEL | ADM207EARZREEL ADI SOP24 | ADM207EARZREEL.pdf | ||
IXP 200 | IXP 200 ATI BGA | IXP 200.pdf | ||
HIP5163DQ | HIP5163DQ HAR QFP | HIP5163DQ.pdf | ||
IX0457CE-ABE | IX0457CE-ABE ORIGINAL DIP30 | IX0457CE-ABE.pdf | ||
GBP305 | GBP305 TSC SMD or Through Hole | GBP305.pdf | ||
ULN2111A | ULN2111A ALLEGRO DIP14 | ULN2111A.pdf | ||
LM4125AIM5X-4.1 TEL:82766440 | LM4125AIM5X-4.1 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LM4125AIM5X-4.1 TEL:82766440.pdf | ||
HCG7A1A473IPPS | HCG7A1A473IPPS HIT DIP | HCG7A1A473IPPS.pdf | ||
BCR512E6327XT | BCR512E6327XT N/A SMD or Through Hole | BCR512E6327XT.pdf |