창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V3S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C4V3S-7-FDITR BZX84C4V3S-FDITR BZX84C4V3S-FDITR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C4V3S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C4V, BZX84C4V3S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B41858C3478M | 4700µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 34 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41858C3478M.pdf | |
![]() | CRA06P083130RJTA | RES ARRAY 4 RES 130 OHM 1206 | CRA06P083130RJTA.pdf | |
![]() | ERD-S2TJ224V | RES 220K OHM 1/4W 5% AXIAL | ERD-S2TJ224V.pdf | |
![]() | M52303ACP | M52303ACP ORIGINAL DIP | M52303ACP.pdf | |
![]() | ERJ-122ZYJ101U | ERJ-122ZYJ101U PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ-122ZYJ101U.pdf | |
![]() | SM4T68CA | SM4T68CA TAYCHIPST SMD or Through Hole | SM4T68CA.pdf | |
![]() | TYN0512RG PBF | TYN0512RG PBF STM TO-220 | TYN0512RG PBF.pdf | |
![]() | SLA-360LT3FXC/D/E/F | SLA-360LT3FXC/D/E/F ROHM SMD or Through Hole | SLA-360LT3FXC/D/E/F.pdf | |
![]() | LT1956IFE#EFE | LT1956IFE#EFE LT TSSOP-16 | LT1956IFE#EFE.pdf | |
![]() | DACIC10BC | DACIC10BC ORIGINAL DIP | DACIC10BC .pdf | |
![]() | HCI1005F-39NJ-M | HCI1005F-39NJ-M epcos SMD or Through Hole | HCI1005F-39NJ-M.pdf | |
![]() | MC34063AP-1 | MC34063AP-1 MOT DIP8L | MC34063AP-1.pdf |