창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C4V3S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C4V3S-7-FDITR BZX84C4V3S-FDITR BZX84C4V3S-FDITR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C4V3S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C4V, BZX84C4V3S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | MMSD4448 | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123 | MMSD4448.pdf | |
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![]() | CW02B5R100JE12HS | RES 5.1 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B5R100JE12HS.pdf | |
![]() | CSA9.60MTZ | CSA9.60MTZ MURATA SMD or Through Hole | CSA9.60MTZ.pdf | |
![]() | SL3511 | SL3511 STORLINK BGA | SL3511.pdf | |
![]() | H16101ME | H16101ME M-TFK SOP | H16101ME.pdf | |
![]() | 2SC4793/A1837 | 2SC4793/A1837 TOSHIBA TOP-220NIS | 2SC4793/A1837.pdf | |
![]() | CXP750010-112S | CXP750010-112S SNOY DIP64 | CXP750010-112S.pdf | |
![]() | N320CH36HOO | N320CH36HOO WESTCODE Module | N320CH36HOO.pdf | |
![]() | OPA2334AIDBVR | OPA2334AIDBVR BB MSOP-10 | OPA2334AIDBVR.pdf | |
![]() | SL1TTEF15 | SL1TTEF15 KOASPEERELECTRONICS SL1TTEF15 SL1TTEF15 | SL1TTEF15.pdf | |
![]() | PIC16F886ISP | PIC16F886ISP MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC16F886ISP.pdf |