창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V9W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V9W-FDITR BZX84C3V9W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V9W-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V9W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AIMC-0603-27NJ-T | 27nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 450 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | AIMC-0603-27NJ-T.pdf | |
![]() | RCL122519R1FKEG | RES SMD 19.1 OHM 2W 2512 WIDE | RCL122519R1FKEG.pdf | |
![]() | TNPU0805887RBZEN00 | RES SMD 887 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU0805887RBZEN00.pdf | |
![]() | 566/128/66/1.7v | 566/128/66/1.7v intel CPU | 566/128/66/1.7v.pdf | |
![]() | 4046PHTB-ND | 4046PHTB-ND Vishay SMD or Through Hole | 4046PHTB-ND.pdf | |
![]() | GMS90C51-GA010 | GMS90C51-GA010 GOLDSTAR DIP40 | GMS90C51-GA010.pdf | |
![]() | INA2126U. | INA2126U. TI/BB SOIC-16 | INA2126U..pdf | |
![]() | LM5642XMT-LF | LM5642XMT-LF NS SMD or Through Hole | LM5642XMT-LF.pdf | |
![]() | ADA502 | ADA502 AD SMD or Through Hole | ADA502.pdf | |
![]() | BAQ321609T-601Y-S | BAQ321609T-601Y-S ORIGINAL SMD or Through Hole | BAQ321609T-601Y-S.pdf | |
![]() | 1C25X7R103K100B | 1C25X7R103K100B VISHAY DIP | 1C25X7R103K100B.pdf |