창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V9-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V9-FDITR BZX84C3V97F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V9-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3, BZX84C3V9-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | V48MLA1210LH | VARISTOR 60.5V 220A 1210 | V48MLA1210LH.pdf | |
![]() | YC324-FK-0726K7L | RES ARRAY 4 RES 26.7K OHM 2012 | YC324-FK-0726K7L.pdf | |
![]() | CMF55133R00FKEB70 | RES 133 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55133R00FKEB70.pdf | |
![]() | SA56606-44GW -AAPF | SA56606-44GW -AAPF NXP/PHILIPS SMD | SA56606-44GW -AAPF.pdf | |
![]() | RD4.3FM-T1B | RD4.3FM-T1B NEC SOD106 | RD4.3FM-T1B.pdf | |
![]() | 2SC114 | 2SC114 NEC T0-92 | 2SC114.pdf | |
![]() | TRVS339484009 | TRVS339484009 DUAG SMD or Through Hole | TRVS339484009.pdf | |
![]() | FOXSD128-20TR | FOXSD128-20TR FOX SMD or Through Hole | FOXSD128-20TR.pdf | |
![]() | 6R1MB75P-160-02 | 6R1MB75P-160-02 FUJI SMD or Through Hole | 6R1MB75P-160-02.pdf | |
![]() | ADSC906JR | ADSC906JR AD SOP-28 | ADSC906JR.pdf | |
![]() | TC7W04FKTE85L | TC7W04FKTE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7W04FKTE85L.pdf | |
![]() | LTC1096 | LTC1096 LT DIP8 | LTC1096.pdf |